| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 4 Pin |
| 封装 | PG-VSON-4 |
| 针脚数 | 5 Position |
| 漏源极电阻 | 0.18 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 139 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 16.4A |
| 上升时间 | 5 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1520pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 139 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 139W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 8.1 mm |
| 宽度 | 8.1 mm |
| 高度 | 1.1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管，Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.56 MByte
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.61 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPL60R199CP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.4 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPL60R199CPAUMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16.4 A, 650 V, 0.18 ohm, 10 V, 3 V
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