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IPL60R299CP
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IPL60R299CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-VSON-4
描述:INFINEON  IPL60R299CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPL60R299CP 数据手册 (13 页)封装尺寸在12 页
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IPL60R299CP 数据手册 (13 页)
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IPL60R299CP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装PG-VSON-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.27 Ω
极性N-Channel
功耗96 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)11.1A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)1100pF @100V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
耗散功率(Max)96W (Tc)
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IPL60R299CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tape & Reel (TR)
长度8 mm
高度1.10 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPL60R299CP 数据手册

IPL60R299CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.61 MByte
IPL60R299CP 其他数据使用手册
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2 页 / 0.58 MByte

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INFINEON  IPL60R299CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11.1 A, 600 V, 0.27 ohm, 10 V, 3 V
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