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IPL65R070C7AUMA1
来自 AiPCBA

IPL65R070C7AUMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-VSON-4
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPL65R070C7AUMA1 数据手册 (15 页)
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IPL65R070C7AUMA1 数据手册 (15 页)
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IPL65R070C7AUMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数4 Pin
封装PG-VSON-4
额定功率169 W
针脚数5 Position
漏源极电阻0.062 Ω
功耗169 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)3020pF @100V(Vds)
下降时间11 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)169W (Tc)
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IPL65R070C7AUMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度8 mm
宽度8 mm
高度1.1 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPL65R070C7AUMA1 数据手册

IPL65R070C7AUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.8 MByte
IPL65R070C7AUMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPL65R070C7AUMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPL65R070C7AUMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPL65R070C7AUMA1 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.1 MByte

IPL65R070C7 数据手册

IPL65R070C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPL65R070C7 VSON-4(8x8)
IPL65R070C7AUMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 28 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 3.5 V
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