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IPN60R1K0CE
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IPN60R1K0CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:SOT-223
描述:600V,6.8A,1Ω,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPN60R1K0CE 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPN60R1K0CE 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装SOT-223
极性N-CH
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)6.8A
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IPN60R1K0CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-40℃ ~ 150℃
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IPN60R1K0CE 数据手册

IPN60R1K0CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.02 MByte
IPN60R1K0CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPN60R1K0CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPN60R1K0CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPN60R1K0CE 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.22 MByte

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600V,6.8A,1Ω,N沟道功率MOSFET
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