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IPN60R3K4CEATMA1
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IPN60R3K4CEATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-261-4
描述:INFINEON  IPN60R3K4CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 600 V, 3.06 ohm, 10 V, 3 V 新
PDF文件:IPN60R3K4CEATMA1 数据手册 (13 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPN60R3K4CEATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-261-4
针脚数3 Position
漏源极电阻3.06 Ω
极性N-Channel
功耗5 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)2.6A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)93pF @100V(Vds)
下降时间60 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)5W (Tc)
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IPN60R3K4CEATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度6.5 mm
宽度3.5 mm
高度1.6 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPN60R3K4CEATMA1 数据手册

IPN60R3K4CEATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 1.01 MByte
IPN60R3K4CEATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPN60R3K4CEATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPN60R3K4CEATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPN60R3K4CEATMA1 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.22 MByte

IPN60R3K4 数据手册

IPN60R3K4CEATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPN60R3K4CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 600 V, 3.06 ohm, 10 V, 3 V 新
IPN60R3K4CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
600V,2.6A,3.4Ω,N沟道功率MOSFET
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