| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 188 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0033 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 188 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 漏源击穿电压 | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 90A |
| 上升时间 | 70 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 11000pF @30V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 188 W |
| 下降时间 | 5 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 188W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80V
●OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
●快速切换 MOSFET，用于 SMPS
●优化技术，用于直流/直流转换器
●符合目标应用的 JEDEC1 规格
●N 通道，逻辑电平
●极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM)
●极低导通电阻 R DS(on)
●无铅电镀
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.97 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
204 页 / 1.22 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.05 MByte
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06N3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP040N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3.3 mohm, 10 V, 3 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
