类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
额定功率 | 107 W |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.0036 Ω |
极性 | N-CH |
功耗 | 3 W |
阈值电压 | 2.8 V |
漏源极电压(Vds) | 60 V |
连续漏极电流(Ids) | 80A |
上升时间 | 16 ns |
输入电容值(Ciss) | 2700pF @30V(Vds) |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 175 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 3000 mW |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.36 mm |
宽度 | 4.57 mm |
高度 | 15.95 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.48 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
30 页 / 0.64 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.19 MByte
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06N3GXKSA1, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPP040N06N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 3.3 mohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS™5 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP040N06NAKSA1, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件