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IPP041N12N3 G
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IPP041N12N3 G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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IPP041N12N3 G 数据手册 (11 页)
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IPP041N12N3 G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0035 Ω
极性N-Channel
功耗300 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)120 V
上升时间52 ns
输入电容值(Ciss)13800pF @60V(Vds)
额定功率(Max)300 W
下降时间21 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IPP041N12N3 G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.57 mm
高度15.95 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPP041N12N3 G 数据手册

IPP041N12N3 G 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.85 MByte
IPP041N12N3 G 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP041N12N3 G 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPP041N12N3 G 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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