| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 79W (Tc) |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 70A |
| 上升时间 | 5.6 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3900pF @15V(Vds) |
| 下降时间 | 4.4 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 79W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not For New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP042N03LGXKSA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
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INFINEON IPP042N03L G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 3.5 mohm, 10 V, 1 V
Infineon（英飞凌）
的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor
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