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IPP045N10N3GXKSA1
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IPP045N10N3GXKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPP045N10N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.7 V
PDF文件:IPP045N10N3GXKSA1 数据手册 (11 页)
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IPP045N10N3GXKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率214 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0039 Ω
极性N-Channel
功耗214 W
阈值电压2.7 V
输入电容6320 pF
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)100A
上升时间59 ns
输入电容值(Ciss)8410pF @50V(Vds)
额定功率(Max)214 W
下降时间14 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)214W (Tc)
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IPP045N10N3GXKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPP045N10N3GXKSA1 数据手册

IPP045N10N3GXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.73 MByte
IPP045N10N3GXKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP045N10N3GXKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
34 页 / 2.17 MByte
IPP045N10N3GXKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPP045N10N3GXKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.05 MByte

IPP045N10N3 数据手册

IPP045N10N3GXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP045N10N3GXKSA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.7 V
IPP045N10N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
100V,100A,N沟道功率MOSFET
IPP045N10N3 G 数据手册
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INFINEON  IPP045N10N3 G  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 100 V, 0.0039 ohm, 10 V, 2.7 V
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