| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 5.4 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 80 V |
| 漏源击穿电压 | 80 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.99 MByte
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP057N08N3GXKSA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP057N08N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 4.9 mohm, 10 V, 2.8 V
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
