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IPP060N06N
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IPP060N06N 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPP060N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0052 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:IPP060N06N 数据手册 (9 页)封装尺寸在8 页
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IPP060N06N 数据手册 (9 页)
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IPP060N06N 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0052 Ω
极性N-Channel
功耗83 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)60 V
连续漏极电流(Ids)45A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @30V(Vds)
额定功率(Max)3 W
下降时间7 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)3W (Ta), 83W (Tc)
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IPP060N06N 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.57 mm
高度15.95 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPP060N06N 数据手册

IPP060N06N 数据手册
Infineon（英飞凌）
9 页 / 0.61 MByte
IPP060N06N 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP060N06N 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPP060N06N 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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INFINEON  IPP060N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0052 ohm, 10 V, 2.8 V
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