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IPP110N20N3G
来自 AiPCBA

IPP110N20N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220
描述:OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
PDF文件:IPP110N20N3G 数据手册 (11 页)
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IPP110N20N3G 数据手册 (11 页)
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IPP110N20N3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220
极性N-Channel
功耗300 W
漏源极电压(Vds)200 V
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IPP110N20N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Rail, Tube
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IPP110N20N3G 数据手册

IPP110N20N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.67 MByte

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