| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 214 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0094 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 214 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 83A |
| 上升时间 | 35 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3230pF @75V(Vds) |
| 下降时间 | 9 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 214000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.36 mm |
| 宽度 | 4.57 mm |
| 高度 | 15.95 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ |
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.71 MByte
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP111N15N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 83 A, 150 V, 0.0094 ohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
OptiMOSTM3电源晶体管特性优良的栅极电荷X R DS （ ON）的乘积（ FOM ） OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
