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IPP120N20NFDAKSA1
来自 AiPCBA

IPP120N20NFDAKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFDAKSA1, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
PDF文件:IPP120N20NFDAKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP120N20NFDAKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP120N20NFDAKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率300 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.0106 Ω
极性N-Channel
功耗300 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)200 V
连续漏极电流(Ids)84A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)5000pF @100V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IPP120N20NFDAKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.57 mm
高度9.45 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPP120N20NFDAKSA1 数据手册

IPP120N20NFDAKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.26 MByte
IPP120N20NFDAKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP120N20NFDAKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPP120N20NFDAKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPP120N20 数据手册

IPP120N20NFDAKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N20NFDAKSA1, 84 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
IPP120N20NFD 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP120N20NFD  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 200 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3 V
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