| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 150 W |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.016 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 1820 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 150 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 50A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1820pF @75V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
IPP200N15N3 G是一款150V N沟道功率MOSFET, RDS (导通)降低了40％, 品质因数 (FOM)降低了45％。OptiMOS™ MOSFET具有很高的系统效率和业界最低的RDS (导通)。非常适合高频开关应用和DC-DC转换器应用。
●IPP200N15N3 G, SP000680884
● 优秀的开关性能
● 环保型
● 高效能
● 高功率密度
● 需要较少的并联
● 占用极小的电路板空间
● 易于设计
Infineon（英飞凌）
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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INFINEON IPP200N15N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 16 mohm, 10 V, 3 V
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