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IPP200N25N3G
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IPP200N25N3G 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3-1
描述:OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor
PDF文件:IPP200N25N3G 数据手册 (11 页)
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焊盘图
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IPP200N25N3G 数据手册 (11 页)
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IPP200N25N3G 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3-1
极性N-Channel
功耗300 W
漏源极电压(Vds)250 V
输入电容值(Ciss)7100pF @100V(Vds)
额定功率(Max)300 W
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IPP200N25N3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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IPP200N25N3G 数据手册

IPP200N25N3G 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.74 MByte

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