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IPP410N30NAKSA1
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IPP410N30NAKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPP410N30NAKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP410N30NAKSA1 数据手册 (12 页)
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IPP410N30NAKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率300 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.036 Ω
极性N-CH
功耗300 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)300 V
连续漏极电流(Ids)44A
上升时间9 ns
输入电容值(Ciss)7180pF @100V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)300W (Tc)
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IPP410N30NAKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPP410N30NAKSA1 数据手册

IPP410N30NAKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.79 MByte
IPP410N30NAKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP410N30NAKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPP410N30NAKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPP410N30 数据手册

IPP410N30NAKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 300 V, 0.036 ohm, 10 V, 3 V
IPP410N30N 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPP410N30N TO-220-3
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