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IPP60R099C6XKSA1
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IPP60R099C6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPP60R099C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPP60R099C6XKSA1 数据手册 (18 页)
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IPP60R099C6XKSA1 数据手册 (18 页)
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IPP60R099C6XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率278 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.09 Ω
极性N-Channel
功耗278 W
阈值电压3 V
输入电容2660 pF
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)37.9A
上升时间12 ns
输入电容值(Ciss)2660pF @100V(Vds)
下降时间6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)35 W
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IPP60R099C6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
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IPP60R099C6XKSA1 数据手册

IPP60R099C6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
18 页 / 0.97 MByte
IPP60R099C6XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP60R099C6XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPP60R099C6XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPP60R099C6XKSA1 产品修订记录
Infineon（英飞凌）
1 页 / 0.13 MByte

IPP60R099C6 数据手册

IPP60R099C6 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP60R099C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
IPP60R099C6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP60R099C6XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V
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