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IPP60R099P6XKSA1
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IPP60R099P6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
PDF文件:IPP60R099P6XKSA1 数据手册 (18 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPP60R099P6XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率278 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.089 Ω
极性N-CH
功耗278 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)37.9A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)3330pF @100V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)278W (Tc)
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IPP60R099P6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPP60R099P6XKSA1 数据手册

IPP60R099P6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
18 页 / 2.21 MByte
IPP60R099P6XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP60R099P6XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
42 页 / 1.35 MByte
IPP60R099P6XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPP60R099P6 数据手册

IPP60R099P6 数据手册
Infineon（英飞凌）
600V,37.9A,99mΩ,N沟道功率MOSFET
IPP60R099P6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 600 V, 0.089 ohm, 10 V, 4 V
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