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IPP60R165CP
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IPP60R165CP 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPP60R165CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPP60R165CP 数据手册 (10 页)
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IPP60R165CP 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)600 V
额定电流21.0 A
封装TO-220-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.15 Ω
极性N-Channel
功耗192 W
阈值电压3 V
输入电容2.00 nF
栅电荷52.0 nC
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)21.0 A
上升时间5 ns
输入电容值(Ciss)2000pF @100V(Vds)
额定功率(Max)192 W
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)192 W
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IPP60R165CP 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
长度10.36 mm
宽度4.57 mm
高度9.45 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPP60R165CP 数据手册

IPP60R165CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
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IPP60R165 数据手册

IPP60R165CP 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP60R165CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
IPP60R165CPXKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP60R165CPXKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
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