类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-220-3 |
极性 | N-Channel |
功耗 | 151W (Tc) |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.2A |
上升时间 | 11 ns |
输入电容值(Ciss) | 1400pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 34 W |
下降时间 | 9 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 151W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.36 mm |
宽度 | 15.95 mm |
高度 | 4.57 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON IPP60R190P6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190C6XKSA1, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
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INFINEON IPP60R190P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.171 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IPP60R190E6XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IPP60R190E6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V
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