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IPP65R065C7XKSA1
来自 AiPCBA

IPP65R065C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.058 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPP65R065C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPP65R065C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPP65R065C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率171 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.058 Ω
极性N-CH
功耗171 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)33A
上升时间14 ns
输入电容值(Ciss)3020pF @400V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)171W (Tc)
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IPP65R065C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPP65R065C7XKSA1 数据手册

IPP65R065C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.63 MByte
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Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.21 MByte

IPP65R065C7 数据手册

IPP65R065C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPP65R065C7 TO-220-3
IPP65R065C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 650 V, 0.058 ohm, 10 V, 3.5 V
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