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IPP65R110CFD
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IPP65R110CFD 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-220-3
描述:Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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IPP65R110CFD 数据手册 (20 页)
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IPP65R110CFD 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
通道数1 Channel
漏源极电阻110 mΩ
极性N-CH
功耗277.8 W
漏源极电压(Vds)700 V
漏源击穿电压650 V
连续漏极电流(Ids)31.2A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)3240pF @100V(Vds)
下降时间6 nS
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)277.8 W
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IPP65R110CFD 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPP65R110CFD 数据手册

IPP65R110CFD 数据手册
Infineon（英飞凌）
20 页 / 3.76 MByte
IPP65R110CFD 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP65R110CFD 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPP65R110CFD 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPP65R110 数据手册

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