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IPP65R225C7
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IPP65R225C7 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:INFINEON  IPP65R225C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPP65R225C7 数据手册 (15 页)
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IPP65R225C7 数据手册 (15 页)
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IPP65R225C7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.199 Ω
极性N-Channel
功耗63 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)11A
上升时间6 ns
输入电容值(Ciss)996pF @400V(Vds)
下降时间10 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)63000 mW
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IPP65R225C7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPP65R225C7 数据手册

IPP65R225C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.65 MByte
IPP65R225C7 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPP65R225C7 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPP65R225C7 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

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INFINEON  IPP65R225C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
IPP65R225C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP65R225C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 V
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