| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 62.5 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 594 mΩ |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 62.5 W |
| 阈值电压 | 3.5 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 漏源击穿电压 | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 6A |
| 上升时间 | 8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 615pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 62.5W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
21 页 / 4.35 MByte
Infineon（英飞凌）
116 页 / 1.6 MByte
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPP65R660CFDXKSA1, 6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
Infineon（英飞凌）
Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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