| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 极性 | P-CH |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 80A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP80P03P4L04AKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON IPP80P03P4L-04 晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0037 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
的OptiMOS -P2功率三极管 OptiMOS-P2 Power-Transistor
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, P沟道, -80 A, -30 V, 0.0059 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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