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IPP90R1K2C3XKSA1
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IPP90R1K2C3XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-220-3
描述:INFINEON  IPP90R1K2C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPP90R1K2C3XKSA1 数据手册 (10 页)
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IPP90R1K2C3XKSA1 数据手册 (10 页)
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IPP90R1K2C3XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-220-3
额定功率83 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.94 Ω
极性N-Channel
功耗83 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)5.1A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)710pF @100V(Vds)
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)830000 mW
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IPP90R1K2C3XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度10 mm
宽度4.4 mm
高度15.65 mm
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IPP90R1K2C3XKSA1 数据手册

IPP90R1K2C3XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.28 MByte
IPP90R1K2C3XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.28 MByte

IPP90R1K2C3 数据手册

IPP90R1K2C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
IPP90R1K2C3XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP90R1K2C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
IPP90R1K2C3XKSA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
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