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IPP90R1K2C3XKSA2
来自 AiPCBA

IPP90R1K2C3XKSA2 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:TO-220
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPP90R1K2C3XKSA2 数据手册 (10 页)
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IPP90R1K2C3XKSA2 数据手册 (10 页)
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IPP90R1K2C3XKSA2 技术参数、封装参数

类型描述
封装TO-220
针脚数3 Position
漏源极电阻0.94 Ω
功耗83 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)900 V
工作温度(Max)150 ℃
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IPP90R1K2C3XKSA2 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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IPP90R1K2C3XKSA2 数据手册

IPP90R1K2C3XKSA2 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.28 MByte
IPP90R1K2C3XKSA2 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
5 页 / 0.1 MByte

IPP90R1K2C3 数据手册

IPP90R1K2C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
IPP90R1K2C3XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPP90R1K2C3XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
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Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
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