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IPT015N10N5
来自 AiPCBA

IPT015N10N5 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-Leadless
描述:N沟道 100V 300A
PDF文件:IPT015N10N5 数据手册 (11 页)
Pictures:
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焊盘图
引脚图
产品图
IPT015N10N5 数据手册 (11 页)
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IPT015N10N5 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数8 Pin
封装TO-Leadless
极性N-CH
功耗375 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)300A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)12000pF @50V(Vds)
下降时间30 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375000 mW
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IPT015N10N5 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPT015N10N5 数据手册

IPT015N10N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 1.03 MByte
IPT015N10N5 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPT015N10N5 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPT015N10N5 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPT015N10N5 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.68 MByte

IPT015N10 数据手册

IPT015N10N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
IPT015N10N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 100V 300A
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