Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPT015N10N5ATMA1 Datasheet 文档
IPT015N10N5ATMA1
来自 AiPCBA

IPT015N10N5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-HSOF-8-1
描述:N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
PDF文件:IPT015N10N5ATMA1 数据手册 (12 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPT015N10N5ATMA1 数据手册 (12 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPT015N10N5ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数9 Pin
封装PG-HSOF-8-1
额定功率375 W
通道数1 Channel
针脚数8 Position
漏源极电阻0.0013 Ω
极性N-CH
功耗375 W
阈值电压2.2 V
输入电容12 nF
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)300A
上升时间30 ns
输入电容值(Ciss)16000pF @50V(Vds)
额定功率(Max)375 W
下降时间30 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)375W (Tc)
查看数据手册 >

IPT015N10N5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
宽度10.1 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
查看数据手册 >

IPT015N10N5ATMA1 数据手册

IPT015N10N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
12 页 / 1.2 MByte
IPT015N10N5ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPT015N10N5ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
30 页 / 0.64 MByte
IPT015N10N5ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte
IPT015N10N5ATMA1 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
4 页 / 0.68 MByte

IPT015N10N5 数据手册

IPT015N10N5 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 100V 300A
IPT015N10N5ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

关联文档: IPT015N10N5 数据手册
 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet