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IPT65R105G7XTMA1
来自 AiPCBA

IPT65R105G7XTMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
封装:PG-HSOF-8-2
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPT65R105G7XTMA1 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPT65R105G7XTMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数9 Pin
封装PG-HSOF-8-2
针脚数8 Position
漏源极电阻0.091 Ω
极性N-CH
功耗156 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)24A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)1670pF @400V(Vds)
下降时间7 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)156000 mW
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IPT65R105G7XTMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPT65R105G7XTMA1 数据手册

IPT65R105G7XTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.16 MByte
IPT65R105G7XTMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPT65R105G7XTMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPT65R105G7XTMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPT65R105G7 数据手册

IPT65R105G7 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPT65R105G7 HSOF-8
IPT65R105G7XTMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.091 ohm, 10 V, 3.5 V
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