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IPU60R2K1CE
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IPU60R2K1CE 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:600V,2.3A,N沟道功率MOSFET
PDF文件:IPU60R2K1CE 数据手册 (14 页)
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焊盘图
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IPU60R2K1CE 数据手册 (14 页)
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IPU60R2K1CE 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-251-3
极性N-CH
功耗22 W
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)2.3A
上升时间7 ns
输入电容值(Ciss)140pF @100V(Vds)
下降时间50 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)38000 mW
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IPU60R2K1CE 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度6.73 mm
宽度2.38 mm
高度6.22 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃
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IPU60R2K1CE 数据手册

IPU60R2K1CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.23 MByte
IPU60R2K1CE 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPU60R2K1CE 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
51 页 / 2.6 MByte
IPU60R2K1CE 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPU60R2K1 数据手册

IPU60R2K1CEBKMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.7 A, 600 V, 1.8 ohm, 10 V, 3 V
IPU60R2K1CE 数据手册
Infineon（英飞凌）
600V,2.3A,N沟道功率MOSFET
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