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IPW60R017C7XKSA1
来自 AiPCBA

IPW60R017C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 109 A, 600 V, 0.015 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPW60R017C7XKSA1 数据手册 (14 页)
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IPW60R017C7XKSA1 数据手册 (14 页)
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IPW60R017C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.015 Ω
极性N-CH
功耗446 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)109A
上升时间25 ns
输入电容值(Ciss)9890pF @400V(Vds)
下降时间4 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)446000 mW
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IPW60R017C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
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IPW60R017C7XKSA1 数据手册

IPW60R017C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.18 MByte
IPW60R017C7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPW60R017C7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 4.97 MByte
IPW60R017C7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
74 页 / 12.08 MByte

IPW60R017C7 数据手册

IPW60R017C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
IPW60R017C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 109 A, 600 V, 0.015 ohm, 10 V, 3.5 V
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