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IPW60R099C7XKSA1
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IPW60R099C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPW60R099C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPW60R099C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPW60R099C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
额定功率110 W
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻85 mΩ
极性N-CH
功耗110 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
漏源击穿电压600 V
连续漏极电流(Ids)22A
上升时间8 ns
输入电容值(Ciss)1819pF @400V(Vds)
下降时间4.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)110W (Tc)
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IPW60R099C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPW60R099C7XKSA1 数据手册

IPW60R099C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.55 MByte
IPW60R099C7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPW60R099C7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 4.97 MByte
IPW60R099C7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
74 页 / 12.08 MByte

IPW60R099C7 数据手册

IPW60R099C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPW60R099C7 TO-247-3
IPW60R099C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 3.5 V
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