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IPW60R099P6XKSA1
来自 AiPCBA

IPW60R099P6XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
PDF文件:IPW60R099P6XKSA1 数据手册 (18 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPW60R099P6XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
额定功率278 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.089 Ω
极性N-CH
功耗278 W
阈值电压4 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)37.9A
上升时间10 ns
输入电容值(Ciss)3330pF @100V(Vds)
下降时间5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)278W (Tc)
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IPW60R099P6XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPW60R099P6XKSA1 数据手册

IPW60R099P6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
18 页 / 2.21 MByte
IPW60R099P6XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPW60R099P6XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
42 页 / 1.35 MByte
IPW60R099P6XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPW60R099P6 数据手册

IPW60R099P6 数据手册
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N沟道 600V 37.9A
IPW60R099P6XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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