类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.14 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 176 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 23.8A |
上升时间 | 13 ns |
输入电容值(Ciss) | 1660pF @100V(Vds) |
下降时间 | 8 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 176W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.13 mm |
宽度 | 5.21 mm |
高度 | 21.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
18 页 / 1.05 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
52 页 / 3.25 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte
Infineon(英飞凌)
晶体管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.144 ohm, 10 V, 4 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R160C6FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R160C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) IPW60R160P6 TO-247-3
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册,每天更新 5,000 多个 PDF 文件