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IPW60R160C6FKSA1
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IPW60R160C6FKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:INFINEON  IPW60R160C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPW60R160C6FKSA1 数据手册 (18 页)封装尺寸在14 页15 页
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焊盘图
引脚图
产品图
IPW60R160C6FKSA1 数据手册 (18 页)
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IPW60R160C6FKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
额定功率176 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.14 Ω
极性N-Channel
功耗176 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)23.8A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)1660pF @100V(Vds)
下降时间8 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)176 W
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IPW60R160C6FKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
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IPW60R160C6FKSA1 数据手册

IPW60R160C6FKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
18 页 / 1.05 MByte
IPW60R160C6FKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPW60R160C6FKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPW60R160C6FKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPW60R160C6 数据手册

IPW60R160C6 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW60R160C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
IPW60R160C6FKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW60R160C6FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 23.8 A, 600 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
IPW60R160C6XK 数据手册
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