类型 | 描述 |
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安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 600 V |
额定电流 | 21.0 A |
封装 | TO-247-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.15 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 192 W |
阈值电压 | 3 V |
输入电容 | 2.00 nF |
栅电荷 | 52.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 21.0 A |
输入电容值(Ciss) | 2000pF @100V(Vds) |
额定功率(Max) | 192 W |
下降时间 | 5 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 192W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended |
包装方式 | Tube |
长度 | 16.13 mm |
宽度 | 5.21 mm |
高度 | 21.1 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
Infineon(英飞凌)
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Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
INFINEON IPW60R165CPFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 21 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 3 V
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