| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.25 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 104 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 13.8A |
| 上升时间 | 11 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 950pF @100V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 104 W |
| 下降时间 | 12 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 104W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 21.1 mm |
| 高度 | 5.21 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
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19 页 / 1.55 MByte
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INFINEON IPW60R280P6FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IPW60R280C6FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
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INFINEON IPW60R280C6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V
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Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R280E6FKSA1, 13.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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INFINEON IPW60R280P6 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13.8 A, 600 V, 0.252 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用，包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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