| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 极性 | N-CH |
| 功耗 | 391 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 43.3A |
| 上升时间 | 18 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 4440pF @100V(Vds) |
| 下降时间 | 6 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 391000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ |
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INFINEON IPW65R080CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 43.3 A, 700 V, 0.072 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON IPW65R080CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 43.3 A, 700 V, 0.072 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPW65R080CFDAFKSA1, 43 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
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