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IPW65R150CFDAFKSA1
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IPW65R150CFDAFKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
PDF文件:IPW65R150CFDAFKSA1 数据手册 (16 页)
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IPW65R150CFDAFKSA1 数据手册 (16 页)
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IPW65R150CFDAFKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
极性N-CH
功耗195.3W (Tc)
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)22.4A
上升时间7.6 ns
输入电容值(Ciss)2340pF @100V(Vds)
下降时间5.6 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-40 ℃
耗散功率(Max)195.3 W
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IPW65R150CFDAFKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.03 mm
宽度5.16 mm
高度21.1 mm
工作温度-40℃ ~ 150℃ (TJ)
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IPW65R150CFDAFKSA1 数据手册

IPW65R150CFDAFKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
16 页 / 2.13 MByte
IPW65R150CFDAFKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPW65R150CFDAFKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
52 页 / 3.25 MByte
IPW65R150CFDAFKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte

IPW65R150 数据手册

IPW65R150CFDFKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 22.4 A, 650 V, 0.135 ohm, 10 V, 4 V
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650V,22.4A,N沟道功率MOSFET
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