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IPW65R190C7XKSA1
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IPW65R190C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:中高压MOS管
封装:TO-247-3
描述:INFINEON  IPW65R190C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPW65R190C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPW65R190C7XKSA1 数据手册 (15 页)
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IPW65R190C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
额定功率72 W
针脚数3 Position
漏源极电阻0.404 Ω
极性N-Channel
功耗72 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)13A
上升时间11 ns
输入电容值(Ciss)1150pF @400V(Vds)
下降时间9 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)72W (Tc)
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IPW65R190C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度21.1 mm
高度5.21 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPW65R190C7XKSA1 数据手册

IPW65R190C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
15 页 / 1.94 MByte
IPW65R190C7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPW65R190C7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
33 页 / 1.03 MByte
IPW65R190C7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
37 页 / 2.01 MByte

IPW65R190C7 数据手册

IPW65R190C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW65R190C7  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
IPW65R190C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW65R190C7XKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 650 V, 0.404 ohm, 10 V, 3.5 V
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