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IPW90R1K0C3
来自 AiPCBA

IPW90R1K0C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:INFINEON  IPW90R1K0C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPW90R1K0C3 数据手册 (11 页)
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IPW90R1K0C3 数据手册 (11 页)
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IPW90R1K0C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻1 Ω
极性N-Channel
功耗89 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)5.70 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)850pF @100V(Vds)
额定功率(Max)89 W
下降时间35 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)89 W
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IPW90R1K0C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度21.1 mm
高度5.21 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃
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IPW90R1K0C3 数据手册

IPW90R1K0C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.53 MByte
IPW90R1K0C3 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.27 MByte
IPW90R1K0C3 开发手册
Infineon（英飞凌）
6 页 / 1.89 MByte

IPW90R1K0 数据手册

IPW90R1K0C3FKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW90R1K0C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
IPW90R1K0C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW90R1K0C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V
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