Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPW90R1K2C3 Datasheet 文档
IPW90R1K2C3
来自 AiPCBA

IPW90R1K2C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-3
描述:INFINEON  IPW90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:IPW90R1K2C3 数据手册 (11 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
IPW90R1K2C3 数据手册 (11 页)
查看文档
或点击图片查看大图

IPW90R1K2C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
封装TO-247-3
针脚数3 Position
漏源极电阻0.94 Ω
极性N-Channel
功耗83 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)900 V
连续漏极电流(Ids)5.10 A
上升时间20 ns
输入电容值(Ciss)710pF @100V(Vds)
额定功率(Max)83 W
下降时间40 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)83W (Tc)
查看数据手册 >

IPW90R1K2C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Obsolete
包装方式Tube
长度16.13 mm
宽度5.21 mm
高度21.1 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >

IPW90R1K2C3 数据手册

IPW90R1K2C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
11 页 / 0.62 MByte

IPW90R1K2 数据手册

IPW90R1K2C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW90R1K2C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
IPW90R1K2C3FKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
INFINEON  IPW90R1K2C3FKSA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.1 A, 900 V, 0.94 ohm, 10 V, 3 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet