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IPZ40N04S58R4ATMA1
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IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:PG-TSDSON-8-32
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.8 V
PDF文件:IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册 (10 页)
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IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册 (10 页)
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IPZ40N04S58R4ATMA1 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数8 Pin
封装PG-TSDSON-8-32
针脚数8 Position
漏源极电阻0.007 Ω
极性N-CH
功耗34 W
阈值电压2.8 V
漏源极电压(Vds)40 V
连续漏极电流(Ids)40A
上升时间2 ns
输入电容值(Ciss)771pF @25V(Vds)
下降时间2 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)34W (Tc)
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IPZ40N04S58R4ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度1 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃
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IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册

IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
10 页 / 0.31 MByte
IPZ40N04S58R4ATMA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
138 页 / 12.05 MByte
IPZ40N04S58R4ATMA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
40 页 / 0.46 MByte
IPZ40N04S58R4ATMA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
56 页 / 6.94 MByte
IPZ40N04S58R4ATMA1 产品封装文件
Infineon（英飞凌）
2 页 / 0.96 MByte

IPZ40N04S58R4 数据手册

IPZ40N04S5-8R4 数据手册
Infineon（英飞凌）
N沟道 40V 40A
IPZ40N04S58R4ATMA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 40 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.8 V
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