Datasheet 搜索 > MOS管 > Infineon（英飞凌） > IPZ60R017C7XKSA1 Datasheet 文档
IPZ60R017C7XKSA1
来自 AiPCBA

IPZ60R017C7XKSA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-247-4
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 109 A, 600 V, 0.015 ohm, 10 V, 3.5 V
PDF文件:IPZ60R017C7XKSA1 数据手册 (14 页)
Pictures:
符号图
焊盘图
引脚图
产品图

IPZ60R017C7XKSA1 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数4 Pin
封装TO-247-4
针脚数4 Position
漏源极电阻0.015 Ω
极性N-CH
功耗446 W
阈值电压3.5 V
漏源极电压(Vds)600 V
连续漏极电流(Ids)109A
上升时间13 ns
输入电容值(Ciss)9890pF @400V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)446000 mW
查看数据手册 >

IPZ60R017C7XKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tube
工作温度-55℃ ~ 150℃
查看数据手册 >

IPZ60R017C7XKSA1 数据手册

IPZ60R017C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
14 页 / 1.1 MByte
IPZ60R017C7XKSA1 产品设计参考手册
Infineon（英飞凌）
270 页 / 11.59 MByte
IPZ60R017C7XKSA1 其他数据使用手册
Infineon（英飞凌）
65 页 / 4.97 MByte
IPZ60R017C7XKSA1 开发手册
Infineon（英飞凌）
74 页 / 12.08 MByte

IPZ60R017C7 数据手册

IPZ60R017C7 数据手册
Infineon（英飞凌）
场效应管(MOSFET) IPZ60R017C7 TO-247-4
IPZ60R017C7XKSA1 数据手册
Infineon（英飞凌）
晶体管, MOSFET, N沟道, 109 A, 600 V, 0.015 ohm, 10 V, 3.5 V
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

 隐私声明support@adatasheet.com
CopyRight © 2015-2024 ADatasheet