| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 11.3V (min) |
| 工作电压 | 11.4V ~ 18V |
| 封装 | SOIC-8 |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 供电电流 | 50 mA |
| 零部件系列 | IR11672ASPBF |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 上升时间 | 125 ns |
| 热阻 | 128℃/W (RθJA) |
| 输入偏置电流 | 100 μA |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -25 ℃ |
| 电源电压 | 11.4V ~ 18V |
| 电源电压(Max) | 18 V |
| 电源电压(Min) | 11.4 V |
| 输入电压 | 200 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 5 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -25℃ ~ 125℃ |
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Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon（英飞凌）
INFINEON IR11672ASPBF 芯片, MOSFET, 半桥, 11.3V-20V电源, 7A输出, 50ns延迟, SOIC-8
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