| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 封装 | SOIC-8 |
| 额定功率 | 0.97 W |
| 上升/下降时间 | 18ns, 10ns |
| 输出接口数 | 1 Output |
| 输出电压 | 200 V |
| 输出电流 | 7 A |
| 功耗 | 970 mW |
| 功耗 | 970 mW |
| 静态电流 | 2.2 mA |
| 上升时间 | 180 ns |
| 下降时间 | 30 ns |
| 下降时间(Max) | 30 ns |
| 上升时间(Max) | 180 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -25 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 970 mW |
| 电源电压 | 12V ~ 18V |
| 输入电压 | 12V ~ 18V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 5 mm |
| 宽度 | 4 mm |
| 高度 | 1.5 mm |
| 工作温度 | -25℃ ~ 125℃ (TJ) |
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Infineon（英飞凌）
P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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INFINEON IR11672ASPBF 芯片, MOSFET, 半桥, 11.3V-20V电源, 7A输出, 50ns延迟, SOIC-8
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IC，Infineon### 交流-直流功率转换，Infineon
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