| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 8 Pin |
| 电源电压 | 10.0V (min) |
| 工作电压 | 10V ~ 20V |
| 封装 | PDIP-8 |
| 上升/下降时间 | 35ns, 20ns |
| 输出接口数 | 2 Output |
| 输出电压 | 200 V, 10.0 V (min) |
| 针脚数 | 8 Position |
| 功耗 | 1000 mW |
| 零部件系列 | IR2011 |
| 上升时间 | 50ns (Max) |
| 下降时间 | 35ns (Max) |
| 下降时间(Max) | 35 ns |
| 上升时间(Max) | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 125 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 1000 mW |
| 电源电压 | 10V ~ 20V |
| 电源电压(Max) | 20 V |
| 电源电压(Min) | 10 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10.92 mm |
| 宽度 | 7.11 mm |
| 高度 | 5.33 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 150℃ (TJ) |
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，高侧和低侧，Infineon
●Infineon 的栅极驱动器集成电路用于控制 MOSFET 或 IGBT 电源器件，采用高侧和低侧配置。
●### MOSFET 和 IGBT 驱动器，Infineon (International Rectifier)
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高端和低端驱动器 HIGH AND LOW SIDE DRIVER
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P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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INFINEON IR2011SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
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